STM32芯片FLASH确保擦写次数1000，实际擦写大概多少次才会出问题
测试模拟eepron擦写次数远大于1000次，可能测试方法不对，大家是怎么测试的，无法擦写的话会出现什么现象，模拟eeprom数据会锁死还是清零，程序会不会跑飞
测试的话，你就测试反复擦除后，每次写入0，然后读出校验。
出错后的情况，那就很难预料了，反正出错后，0无法变成1，至于会引起什么问题，那就完全取决于出错的位置和前后指令了
- 这篇博客: STM32学习100步之第三十步——FLASH读写程序中的 注意FLASH存储器的擦写次数有限，大概10万次，因此切不可将擦写函数放入死循环中无限擦写，损坏FLASH，另外再往FLASH中写数据时，尽量选择靠后的地址进行写，防止打乱原有的程序存放的内容。STM32F103内部关于FLASH的库函数如下： 部分也许能够解决你的问题, 你可以仔细阅读以下内容或跳转源博客中阅读:
