利用多片512 K × 1位的SRAM芯片设计存储容量为512 K × 8位的SRAM存储器。要求画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理

利用多片512 K × 1位的SRAM芯片设计存储容量为512 K × 8位的SRAM存储器。要求画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理

1. 利用多个512 K × 1 位的SRAM芯片组成总线。这里需要16片芯片。
2. 每片芯片 only 控制一个bit(0或1),16片组合起来可实现8位。
3. 需要配置地址线,将16芯片的同一地址线相连,从而使得它们使用相同的地址。
4. 数据线分为位0~位7,对应16片芯片的16个输出。
5. 需要配置写使能/读使能控制线,将16片芯片的控制线相连。
6. 写入/读取数据时需要同时控制16片芯片。
7. 数据/地址总线驱动16片芯片进行读写操作。
   电路图如下:
   地址线A0-An连接16片512K×1位SRAM的地址输入
   写使能WE和读使能OE连接16片SRAM的控制输入
   16片SRAM的16个输出分别连接数据线D0-D7
   从地址线角度:

• 共享同一组地址线A0-An,16片SRAM接收相同的地址
• 由相同地址驱动,选通相同存储单元
• 从16片芯片对应的数据线上获得8位数据
  从控制线角度:
• WE和OE连接16片SRAM的写使能/读使能控制输入
• 通过WE/OE同时控制16片SRAM的读写操作
  从数据线角度:
• 16片SRAM的16个输出分别连接数据线D0-D7
• 每条数据线对应1bit的数据,16条数据线对应8位数据总线
• 读取/写入8位数据时通过数据线操作

8片SRAM，除了数据线分别对外部接出来，其它所有的线都并联在一起即可。