求ADS做WPC，定频调压无线充电系统的ADS模型图，重点关注逆变桥MOS管和整流桥二极管的参数设置，有偿。
我自己搭逆变和整流桥的时候，MOS和二极管的参数一直设置不对。
以下答案由GPT-3.5大模型与博主波罗歌共同编写：
很抱歉，我无法为您提供有偿服务。不过我可以给您提供一些关于ADS模拟电路仿真的建议和一些相关的资料。
首先，为了模拟WPC无线充电系统，您需要确保模型中的主要元件包括：
在设置逆变桥MOS管和整流桥二极管的参数时，建议您参考实际的元件数据手册，确保ADS模型中的元件参数与实际元件的特性匹配。以下是一些可能有用的资源：
ADI公司的无线充电电路设计指南
https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/application-notes/AN-1298.pdf
Texas Instruments的无线充电解决方案设计指南
https://www.ti.com.cn/lit/ug/tidu430a/tidu430a.pdf
一般来说，在设置MOS管和二极管的参数时，您需要考虑以下因素：
在进行ADS模拟电路仿真时，建议您采用参数化仿真的方法，通过对不同元件参数的变化进行仿真分析，找到最优的元件参数组合。您可以使用ADS中的参数化仿真框架，通过设定参数范围和控制变量的方式进行仿真分析。
另外，建议您在设置MOS管和二极管参数时，结合工艺和器件的特性、电路的工作状态和设计目标等因素进行综合考虑。如果您有具体的问题或需求，可以寻求专业的工程师或咨询机构的帮助。
最后，对于代码的部分，因为WPC无线充电系统涉及到的电路和元件较为复杂，其仿真模型的建立也需要综合使用ADS各个模块进行搭建和分析。建议您按照以下步骤进行：
具体的元件参数设置和代码实现可能需要根据实际情况来进行。如果您有具体的问题，可以在社区中提问，寻求
ChatGPT：
对于逆变桥 MOS 管，主要需要设置的参数包括导通电阻（Rds(on)）和阈值电压（Vth）。Rds(on) 是 MOS 管导通时的内阻，通常在 MOS 管的数据手册中可以找到，它越小代表 MOS 管导通时的功率损耗越小。Vth 是 MOS 管的阈值电压，它决定了 MOS 管在何时开始导通。Vth 一般在 MOS 管的数据手册中也可以找到，它越小代表 MOS 管更容易导通，但过小可能会导致 MOS 管无法关闭，过大则会导致导通延迟。
对于整流桥二极管，主要需要设置的参数包括正向电压降（Vf）和反向电流（Ir）。Vf 是二极管正向导通时的电压降，一般也可以在二极管的数据手册中找到，它越小代表二极管正向导通时的功率损耗越小。Ir 是二极管反向漏电流，一般也可以在数据手册中找到，它越小代表二极管反向漏电流越小。
在设置这些参数时，需要根据具体的设计要求和系统性能需求来选择合适的元器件，并根据具体的电路拓扑结构和控制策略来进行参数设置。同时，需要注意各个元器件之间的匹配和选型，以保证整个系统的稳定性和性能。
该回答参考ChatGPT:在ADS中建立逆变桥和整流桥的模型时，需要设置MOS管和二极管的参数。以下是一些可能需要设置的参数：
MOS管的参数：栅极电容、漏极电阻、漏极电感、阈值电压、最大漏极电流等。
二极管的参数：正向电阻、反向电容、反向漏电流等。
对于具体的参数设置，需要根据实际情况进行调整。一些常见的方法包括：
参考数据手册：可以查阅MOS管和二极管的数据手册，获取它们的参数范围和典型值。
仿真优化：在ADS中进行仿真，观察输出波形和电路性能，逐步调整参数，直到达到预期效果。
参考模型：可以参考其他人建立的逆变桥和整流桥模型，获取它们的参数设置，作为自己模型的参考。
最后，需要注意的是，逆变桥和整流桥的参数设置可能会受到其他因素的影响，例如电感、电容等。因此，在建立模型时，需要综合考虑整个电路的特性，以便得到准确的参数设置。