STM32系列内部FLASH模拟EEPROM，烧写程序时设置为读保护Level-2级别，还能正常读写这个模拟的EEPROM吗？
STM32的内部FLASH可以通过固件库函数模拟为EEPROM，实现字节级别的读写。然而，对于你的问题，如果你将内部FLASH设置为读保护Level-2级别，那么对模拟的EEPROM的读写操作可能会受到影响。
读保护Level-2级别意味着对内部FLASH的读操作是保护的，也就是说，你不能读取内部FLASH的内容。因此，你将无法读取这个模拟的EEPROM的内容。
另一方面，你仍然可以写入这个模拟的EEPROM，只要你没有对内部FLASH设置写保护。这是因为写操作和读操作在内部FLASH中是独立的。
但是，你应该注意，如果你改变了内部FLASH的读/写保护级别，那么可能会影响到设备的其它功能，比如启动程序（bootloader）或者固件升级（FW update）。因此，你应该仔细考虑你的设计需求，以确定是否需要在内部FLASH上模拟EEPROM，以及应该设置什么样的读/写保护级别。
【以下回答由 GPT 生成】
问题回答:
根据我的了解，将STM32系列内部FLASH模拟EEPROM设置为读保护Level-2级别，将会对对模拟EEPROM的读写操作产生影响。
读保护Level-2级别是一种比较高级的保护级别，它会锁定整个STM32的内部FLASH存储器，包括模拟EEPROM区域。在这个级别下，只能对内部FLASH进行擦除操作，其他读写操作将被禁止。这就意味着，无法在设置为读保护Level-2级别的情况下对模拟EEPROM进行正常的读写操作。
如果你需要对模拟EEPROM进行读写操作，你需要将读保护级别设置为Level-0或者Level-1。这两个级别下的读保护不会影响对模拟EEPROM的读写操作。
如果你已经将模拟EEPROM设置为了读保护Level-2级别，想要恢复对它的读写操作，可以通过以下步骤实现：
通过调试器连接到STM32微控制器以及开发环境。
进入调试模式，并暂停程序运行。
3.使用调试工具，例如ST-Link Utility等，去除读保护设置。具体操作步骤将因工具而异，请参考相关的工具说明文档。
4.重新烧写程序到STM32微控制器。
这样，你就可以恢复对模拟EEPROM的正常读写操作了。
希望以上解答对你有帮助，如果你有任何疑问，请随时追问。