自锁短路保护电路PNP换成PMOS就无法达到预期功能了
上述电路，使用PNP三极管可以达成短路保护功能已经实测，但是将三极管换成PMOS管实际现象是短路仍不能断开回路；
PMOS的导通电压VGS为-0.5~-1v，按照电路分析，也是可以达到上述图中电路的效果的，而且multisim仿真也是可以实现短路保护功能的，实际为什么不行，有没有懂得能够分析一下原因？感谢感谢
这样电路也信！输出短路难道不能直接烧毁三极管？自锁短路保护电路有的是。
没兴趣研究这样电路，估计和驱动压降有关所以无法达到目的，PMOS导通压降检查一下看看。
想要做什么？有具体参数？得闲我设计一个过流自锁，用三极管或场效应都可以。
引用 皆我百晓生 小程序回复内容作答：
有可能是由于PMOS的特性导致无法达到预期功能。
首先，从电路分析来看，PNP三极管的工作原理是通过控制基极电流来控制开关状态，当Q3导通时，Q2被迫截至，从而实现自锁保护。而PMOS管的工作原理是通过控制栅极电压来控制开关状态，当VGS小于阈值电压时，PMOS截至，不导通。
其次，PNP三极管与PMOS管的特性也有所不同。PNP三极管是N杂质掺入P型基底中形成的，因此其导通时基极电流向基区注入，使得继电器得以工作。而PMOS管是P型杂质掺入N型基底中形成的，当栅极电压低于阈值电压时，基区形成反型结，PMOS截至，不导通。
PMOS管的导通特性：PMOS管的导通特性与PNP三极管不同，可能导致在该电路中无法实现自锁保护功能。在PNP三极管中，当短路发生时，Q3导通，Q2被迫截至，形成自锁。但是在PMOS管中，当短路发生时，如果VGS小于阈值电压，PMOS无法导通，无法实现自锁保护。
电路设计问题：可能是由于电路设计的不合理导致无法实现自锁保护功能。可能存在电路连接错误、元件选型不合适等问题。
需要进一步检查电路连接、元件选型和参数设置等方面，以确定导致无法实现预期功能的原因。同时，可以考虑采取其他设计方案或调整电路参数，以实现所需的短路保护功能。
由于PMOS管的工作原理以及特性的不同，可能导致在该电路中无法实现自锁保护功能。可能的原因有：
- PMOS管的阈值电压较高：PMOS管的导通电压VGS需要低于阈值电压，才能使其截至，而PNP三极管的导通电流只需要满足基极电流条件即可。
参考gpt
根据您提供的电路图和描述，我可以给出一些可能导致PMOS无法实现预期功能的原因：
电压极性：PMOS的导通电压(VGS)是负值，而您的电路中的电源极性是正值。这可能导致PMOS无法正确导通。请确保电源极性与PMOS的导通电压极性匹配。
电源电压：PMOS的导通电压范围为-0.5V到-1V，但是您的电源电压可能超过了这个范围。请确保电源电压在PMOS的导通电压范围内。
PMOS的接法：请确保PMOS的源极连接到负极，漏极连接到负载。这样才能实现短路保护功能。
PMOS的参数选择：不同型号的PMOS具有不同的特性参数，例如导通电压范围、导通电阻等。请确保选择的PMOS型号适用于您的应用。
结合GPT给出回答如下请题主参考
更换PNP三极管为PMOS晶体管可能会影响电路正常工作的原因可能是以下的几个方面：
PMOS管的导通电压为负电压时，会导致电路失效。在这个电路中，要让PMOS管导通，需要对其栅极加上一个负电压，而这可能与电路的其他部分不兼容。如果PMOS管的导通电压与电路中其他元件的电压不匹配，则PMOS管可能无法正常导通，从而失去短路保护的作用。
PMOS管的上升沿和下降沿速度可能会比PNP三极管慢。在这个电路中，使PNP三极管快速关闭的基极电流是由电容C1放电产生的。然而，PMOS管的栅极电容可能比PNP三极管的基极电容大，因此在关闭时可能需要更长的时间。这可能会导致电路无法快速关断，从而无法起到短路保护的作用。
PMOS管的电阻可能比PNP三极管大。如果PMOS管的电阻大于PNP三极管的电阻，则在电路中会出现更大的电压降，这可能会导致电路无法正常工作或者无法保护短路。
请仔细检查PMOS管的参数和电路其他部分是否匹配，并进行必要的调整，以确保电路可以正常工作并保护短路。
电路无法实现预期功能的原因可能是多方面的：
请确保已经正确地连接了PMOS管。
注意PMOS管的阈值电压和导通电阻。如果阈值电压过高或导通电阻过大，可能会导致PMOS管在短路保护电路中无法有效地断开回路。
另外，还需要考虑电路中的其他元件对PMOS管的影响。
参考结合AI智能、文心一言等综合回答，若有帮助，恭请采纳。
有可能是PMOS管的阻值比PNP三极管大，导致电流无法完全截断。此外，PMOS管的阈值电压与工作温度有关，当温度升高时，阈值电压会降低，可能导致短路保护失效。还有可能是接线问题或元件损坏导致的。建议检查电路连接和元件是否正常。
两种管的特性不同
可能是电压过大导致的