N极的多子，也就是电子，为什么不能通过外电路经过电源到达P极，然后受电场力再到达N极，以此循环产生电流呢
援引GPT回答：
半导体PN结是由N型半导体和P型半导体组成的结构。在PN结反向偏置时，P区的电势高于N区，形成了一个电场，称为耗尽层。这个电场会阻止电子从N区向P区移动。
当PN结反接时，外电路中的电源会提供一个正电压，使得P区的电势高于N区。这样，电子会受到耗尽层电场的力，被阻止进入P区。另一方面，由于P区的电势高于N区，空穴会受到电场的力，从P区向N区移动。因此，在PN结反接时，电流主要由空穴在P区和电子在N区之间流动。
总结起来，半导体PN结反接时，电子不能通过外电路经过电源到达P极，是因为PN结的电场会阻止电子从N区向P区移动。
【以下回答由 GPT 生成】
这是一个关于半导体PN结反向接法的问题。在PN结正向接法下，电流可以通过PN结中的载流子（电子和空穴）的扩散现象来完成。然而，在PN结反向接法下，存在一个内建电场，这个电场会阻碍外部电子从P区经过电源达到N区。
具体来说，当PN结处于反向电压时，N区被连接到正电压端，P区被连接到负电压端。这样，P区会形成一个较高的电势，而N区会形成一个较低的电势。因此，在PN结中形成一个从N到P的内建电场。
这个内建电场会吸引P区的自由载流子（空穴），并把它们拉向N区。同样，它会推开N区的自由载流子（电子），使它们向远离PN结的方向移动。这样一来，无论是电子还是空穴，都无法通过外部电路直接到达P极。
这种现象发生的原因可以通过势垒理论来解释。PN结的形成导致P区和N区之间形成一个势垒，这是由离子在PN结中的分布形成的。势垒产生的内建电场阻止了电子和空穴的自由移动，从而防止了电流的形成。
在逆向偏置时，当外部电压超过了反向击穿电压时，电流可以通过击穿现象产生。但是，在一般情况下，PN结的冲击电压很高，在这种情况下电流非常小或不存在。
综上所述，电子不能通过外电路经过电源到达P极的原因是内建电场阻止了电子的自由移动。由于这个原因，电流无法在PN结的反向接法中通过外部电路流动，除非达到反向击穿电压。
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首先，半导体PN结是由P型半导体和N型半导体形成的结，其中P型半导体中含有较多空穴，而N型半导体中含有较多电子。在PN结反接时，P极接正电压，N极接负电压，因此电子会从N极向P极移动，而空穴则会从P极向N极移动，形成电流。
然而，电子不能从外电路经过电源到达P极，这是因为当电子从外电路到达P极时，其会受到PN结内电场的作用，被推向N极，并最终通过PN结到达N极。这是因为PN结内电场的方向是从P极指向N极的，与外电场方向相反，因此电子在到达P极时受到的电场力方向是从P极指向N极的。
因此，虽然电子可以通过外电路运动到P极，但是由于PN结内电场的作用，电子会被推向N极，无法到达P极。这也是为什么半导体PN结反接时不能通过外电路形成电流的原因。