N极的多子，也就是电子，为什么不能通过外电路经过电源到达P极，然后受电场力再到达N极，以此循环产生电流呢
结合GPT和我想法：
在半导体PN结的反向偏置情况下，电子不能从外电路到达P极并经由电源到达N极的原因是由于PN结的内建电场。当PN结反向偏置时，P区域的电势高于N区域的电势，形成了内建电场，阻碍了电子从N极流向P极的运动。
具体来说，当PN结反向偏置时，P区域的电势较高，形成一个电势垒，使得P区域内的自由电子受到电场力向N区域移动，同时在N区域形成一个电子空穴对。这样，形成的电子空穴对在PN结内部产生了一个电场，这个电场的方向与外加电源产生的电场方向相反。
当外电源的电势足够大，可以克服PN结内部的电场，使得电子从N极流向P极。这种情况下，电流会流过PN结，被称为反向击穿。但在一般情况下，为了使PN结处于反向偏置状态，外电源的电势是不够大的，无法克服PN结内建电场，因此电子不能从N极经由外电路到达P极，也就无法形成持续的电流。
反向偏置状态下，虽然电子不能从外电路直接到达P极，但是少量的载流子会以热激发的方式穿越PN结，产生微弱的反向漏电流。这种电流称为反向饱和漏电流。但它通常非常小，远远低于正向偏置状态下的电流。
总的来说，反向偏置下PN结会产生内建电场，阻碍电子从N极流向P极，因此无法产生持续的电流。而反向饱和漏电流则是由于热激发导致的微弱电流。这些特性是半导体器件中重要的电学特性，在电路设计和应用中需要加以考虑。