关于#字节对齐#的问题，如何解决？

问一下各位带哥，请问在是么时候才需要进行字节对齐处理，为什么要进行字节对齐呢

当一个变量或数据单元的大小不是4、8、16、32等2的幂次方时，就需要进行字节对齐。例如，如果一个结构体中的成员变量大小为5,那么这个结构体就会被分配到一个大小为8的字节块中。这样做的好处是可以使得访问这个结构体中的成员变量时，不需要进行额外的内存寻址操作。

补充两个,
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第一, 使用CUDA进行并行计算, 或开AVX, 这是强制内存对齐的.
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第二, 使用多线程, 处理无锁数据, 进行CAS比较时候, 你必须认真考虑内存对齐, 否则值完全相等的两个struct对象, 比较的结果是随机的, 完全依赖于编译器如何处理struct的内存对齐.

  • 帮你找了个相似的问题, 你可以看下: https://ask.csdn.net/questions/7803790
  • 你也可以参考下这篇文章：【蓝桥杯嵌入式】定时器实现按键单击，双击，消抖以及长按的代码实现
  • 除此之外, 这篇博客: 电子工程师的自我修养 - 锂电池的测量电路中的 锂电池供电时，测量电路应该这样设计才对 部分也许能够解决你的问题, 你可以仔细阅读以下内容或跳转源博客中阅读:

  • 随着物联网的发展，单片机+锂电池，这种组合越来越普遍，单片机厂商也不断推出适合物联网的单片机。

    先补充一下锂电池的基本知识...

    锂电池在充满电的时候，是4.2V；在用完电的时候，不是0V，而是2.7V左右，每个厂家制作的锂电池，略有差异...

    鉴于锂电池材料的局限性，电压超过4.2V，会发生危险，比如燃烧；电压低于2.7V左右，会造成无法再次充电，总之...

    锂电池电压过高和过低，都会造成永久损坏，所以...

    我们的产品在使用锂电池的时候，需要时刻监测锂电池电压。

    充电的时候，不要超过4.2V，这个要求，需要产品中加入充电管理芯片，充电管理芯片会自动在4.2V的时候切断充电。

    放电的时候，也就是产品在正常使用的时候，不要让锂电池电压低于2.7V，比如，在2.7V的时候，自动强制关机。

    那么，锂电池电压监测电路应该怎么设计呢？

     

     

    如上图所示，应该是初学者最先想到的办法。不过，仔细分析后会发现，有大问题，我们来分析一下···

    VBAT连接到锂电池正极，通过两个电阻分压，连接到单片机的ADC引脚。ADC测到的电压，就是锂电池电压的一半···

    因为锂电池的电压范围大概在2.7V到4.2V之间，所以ADC引脚的电压会在1.35~2.1V之间，不会超过普通单片机的3.3V电压，看起来很合理，不过···

    当产品处于关机状态时，我们以为锂电池就不耗电了，其实，通过电路可以发现，锂电池其实还在通过2个10k的电阻耗电···

    随着时间的推移，该产品放着放着电就减少了，而且当电池电压减少到2.7V以下时，就可能无法充起电来了···

    我在国外的一款产品上，看到了这样的一个电路，当然，已经把它使用到我的产品当中···

     

    上面电路，很巧妙的解决了这个问题，代价是电路板上多了1个MOS管和2个电阻，CTRL引脚是单片机的一个普通引脚，在单片机断电的时候，要求是高阻态，否则也会耗电···

    这里加MOS管并不是用来控制“是否要测量电池电压”，而是为了在产品关机的时候，不要让锂电池电池的电压通过两个分压电阻。

    此时，还有个问题要解决···

    产品在正常使用的过程中，当电池电压小于3.3V时，LDO的输出电压，就不再是3.3V了，随着电池电压的减小，LDO的输出电压也会减小，此时...

    如果一直使用3.3V作为基准来测量电池电压，就会出现错误，所以...

    需要使用有基准电压引脚的单片机，或者有“内部参考电压”+“内部测量通道”功能的单片机···

    用基准电压引脚计算电池电压，这个大家都清楚，我重点说一下“内部参考电压”+“内部测量通道”这个功能。

    简单来说，有了“内部参考电压”+“内部测量通道”之后，我们就可以直接通过内部测量通道得到精确的VDD电压，而不必使用基准电压芯片了，毕竟···

    基准电压芯片也挺贵的，还得在电路板上占个地方，以及多几分钱的焊接费用···

    下面，我们以STC8G系列单片机为例来说一下。

    STC8G的ADC第15通道，用来测量内部参考电压源，内部参考电压为1.19V，通过测量它的值，反推出VDD值。

     

    unsigned int VDDA; // VDDA的电压值 单位毫伏unsigned int *BGV; // 内部参考电压值 单位毫伏
//ADC初始化void ADC_Init(void){  BGV = (int idata *)0xEF;  ADCCFG = 0X2F; // 设置ADC时钟 = 24000000/2/16/512 = 1465Hz 转换结果右对齐}
unsigned int ADCRead(void){  unsigned int res;
  ADC_CONTR |= 0X40; // 启动AD转换  _nop_();  _nop_();  while(!(ADC_CONTR&0X20)); // 查询ADC完成标志  ADC_CONTR &= ~0X20;  // 清除完成标志  res = (ADC_RES<<8)|ADC_RESL; //读取ADC结果
  return res;}
void Fetch_VDDA(void){  unsigned int res=0;  unsigned char i;
  ADC_CONTR = 0X8F; // 使能ADC模块 并选择第15通道  ADCRead();  ADCRead();  for(i=0;i<8;i++)  {    res+=ADCRead();  }  res>>=3; // 读取8次 取平均值  VDDA = (unsigned int)(1023L**BGV/res); // 得出的结果单位是毫伏}

    上面代码，获得了真实的VDDA值，然后就可以计算出真实的电池电压。

     

  • 您还可以看一下 刘伶华老师的软件测试经典面试题剖析课程中的 你觉得作为一名软件测试工程师，应该要具备什么素质？小节, 巩固相关知识点
  • 以下回答由chatgpt基于相关博客总结生成:

    问题回答：

    什么情况下需要进行字节对齐处理？如何解决？

    在进行结构体定义时需要考虑字节对齐，因为不同的编译器，字节对齐的策略可能会不同。如果不进行字节对齐操作，则会出现数据错位、访问出错的问题。具体来说，以下情况可能需要进行字节对齐处理：

    1. 结构体中的成员顺序不能被改变，否则与其它部分交互可能会出现问题。

    2. 定义为 __packed 的结构体或变量无法进行位域操作，因此需要进行字节对齐。

    3. 为了节约内存，许多嵌入式设备会进行手动的字节对齐操作。

    如何解决字节对齐的问题？我们可以使用宏来进行特定字节长度的对齐，具体实现可以使用 #pragma pack或#align（GCC，Keil）命令实现。以下是 #pragma pack 实现字节对齐的示例:

    #pragma pack(1)
struct MyStruct {
    int a;
    char b;
    double c;
};
#pragma pack()

    上述代码将结构体 MyStruct 进行 1 字节对齐。我们也可以在结构体成员变量上使用“特殊属性”attribute((packed))，以告诉编译器这些成员变量不需要字节对齐。以下是基于 attribute((packed)) 命令实现字节对齐的示例：

    struct MyStruct {
    int a;
    char b;
    double c;
} __attribute__((packed));

    注意，字节对齐会导致不必要的内存浪费，所以我们需要在实际需要时再使用字节对齐操作，而不是滥用。