忽发奇想，Vbe正偏的时候，如果不断加大Vbe，Vbe会不会把从发射区、进入基区的电子都拉走，即基极电压不光拉走与基区空穴复合的电子，而且拉走其余从发射区进入基区本来越过集电结进入集电区的电子呢？即使得Ic趋0？
1、要全部拉走除非C极不加电压，2、只要C极电位比E极高，那么E极发出的电子必然会被集电极吸收，3、加大Vbe时，Ib会急骤加大而损坏三极管。
拉走其余电子后，即使得Ic趋0时，最终可能击穿，而后失效。