为什么在NMOS反相器中不能把负载电阻做得非常大？

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为什么在NMOS反相器中不能把负载电阻做得非常大？

以上图为例，虽然图里用的不是N沟道的
当你的门级低电平的时候，NMOS截止，本来预想的是输出Vo经过电阻上拉至高电平，达到反向的目的。如果负载电阻过大，Vo对外呈现高阻态，那么Vo将不能上拉到高电平，而在中间电平，造成反向功能失败。