某16K×1位的 DRAM 存储芯片的读写周期 T=0.1us，如果芯片的最大刷新间隔不允许超过2ms，否则有可能丢失信息。(1）刷新周期是多少？将 DRAM 存储芯片刷新一遍需要多少个刷新周期？(2）若采用分布刷新方式，则刷新信号周期是多少？(3）若采用集中刷新方式，则将 DRAM 芯片刷新一遍需要多少时间？不能提供读写服务的百分比（死时间率）是多少？
参看《新编计算机组成原理习题与解析》试读：4.1 知识点1：主存储器的基本概念 例4-1-50