DC-DC升降压 输出NMOS管发烫严重
芯片是PL5500 升降压芯片,输入12V-输出20V 5A。芯片在输出20V-4A的时候输出上管发烫130多度，然后看波形不对。尝试更换了栅极串联电阻0R,4.7R,10R。效果都不佳，然后看栅极波形发现高电平的时候电压在20左右也就是说栅极可能工作在放大去了。这个问题如何解决呢，
援引讯飞星火：
您好，根据您的描述，PL5500升降压芯片输出NMOS管发烫严重。这可能是由于电路设计的问题，例如让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。频率太高也是一个原因。主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。没有做好足够的散热设计：电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。MOS管的选型有误：对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大 。
做好扇热工作。
参考gpt：
结合自己分析给你如下建议：
这个错误是由于你的输出上管的栅源电压过高，导致MOS管不能完全导通，而是处于线性区工作，从而产生大量的功耗和发热。有几种可能的解决办法，你可以尝试一下：
检查你的输出电感是否合适，如果电感过小或者损耗过大，会导致输出电压波动过大，影响MOS管的驱动效果。
检查你的输出滤波电容是否足够，如果电容过小或者漏电流过大，会导致输出电压不稳定，增加MOS管的开关损耗。
检查你的驱动电路是否正常，如果驱动信号不足或者延迟过大，会导致MOS管不能及时开关，造成交叉导通或者死区时间过长。
检查你的PCB布局是否合理，如果走线过长或者阻抗不匹配，会导致信号反射或者串扰，影响MOS管的驱动质量。
考虑到芯片在输出4A时出现问题，您可以尝试将输出电流限制在较低的值，例如3A，看看问题是否得到缓解。这可能会减少芯片的发热情况，但仍需进一步解决根本问题。
可能是以下几个原因导致的：
- 过载：NMOS管可能承受的电流或功率超过了其额定容量。确保连接到转换器的负载在NMOS管的限制范围内。
- 不合理的设计：转换器电路可能设计不合理，散热机制不足。确保散热器（如果有）的尺寸合适，并且NMOS管周围有足够的空气流动以散热。
- 门极驱动不足：如果门极驱动电压或电流不足，NMOS管可能会出现更高的导通损耗，导致过热。检查门极驱动电路是否提供所需的电压和电流水平。
- 开关频率过高：较高的开关频率会增加NMOS管的功耗。如果对应用程序不是关键的话，考虑降低开关频率。
- 布局不当：PCB的布局和元件的放置可能影响散热。确保NMOS管与PCB连接良好，具有足够的散热通孔和铜线以散热。
负载过重了吧，要么就是散热不行
DC-DC升降压输出NMOS管发烫严重可能是由多种原因导致的：
- 功率管的选择：在选择MOS功率管时，不能仅根据导通电阻大小来选择。因为内阻越小，cgs和cgd电容越大，如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了。所以在选择功率管时，够用就可以了。
- 工作频率的影响：工作频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想到是不是频率选择的有点高。降低频率是一个解决方法，但要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将连续电流模式（CCM）改变成非连续电流模式（DCM），这样就需要增加一个负载电容。
- 开关损耗：开关损耗与功率管的cqd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关。当开关损耗造成NMOS管发热时，可以优化电路设计或选用具有更低开关损耗的功率管。
请注意，以上只是一些可能的原因和解决方法。如果问题仍然存在，建议寻求专业人士的建议或帮助。
测试下功率是多少，和你负载是否匹配，如果明显高于预期负载，应该是你后端负载有问题了，
如果正常，那就是dcdc的散热和效率需要改善， dcdc存在一定的功耗损失，主要是内部的开关管，外部的电感，反馈电阻之类的， 如果你是大功率负载，这块的散热也要考虑，散热焊盘是否打过孔接地 是否增加铺铜面积， 等散热措施要加上了。
引用 皆我百晓生 小程序回复内容作答：
如果DC-DC升降压器中的NMOS管发烫严重，可能存在以下几个原因：
输入电压过高：过高的输入电压会导致输出电压和输出电流过大，从而使NMOS管发烫。在设计电路时，需要确保输入电压在设定范围内。
负载过重：当负载电流超过NMOS管的额定电流时，会导致NMOS管发烫。此时，应重新评估负载电流是否在可控范围内，或者增大NMOS管的额定电流。
升压模式选择错误：如果DC-DC升降压器没有选择正确的升压模式，可能会导致NMOS管工作在过高的电压下，从而发烫。在设计电路时，应选择合适的升压模式，确保NMOS管的工作电压在正常范围内。
散热不良：不良的散热设计会导致NMOS管承受过大的温度，从而发烫。在设计电路时，应合理布局散热器，并保证良好的散热条件。
NMOS管压降过大：如果NMOS管的导通电压降过大，会导致NMOS管处于高功耗状态，从而发烫。在设计电路时，应选择合适的NMOS管，确保其导通电压降在设定范围内。
需要根据具体情况分析以上原因，并采取相应措施来解决NMOS管发烫问题。
参考结合GPT4.0、文心一言，如有帮助，恭请采纳。
首先，检查输出管的负载是否匹配、是否有任何短路或开路等问题
其次，你更换了不同的栅极串联电阻，确实可以减小电阻值，但需要注意不要超过芯片的最大推荐值。
建议：可以考虑在芯片上安装适当的散热器，可以帮助降低温度。例如，在散热器上涂抹适量的导热硅脂
最后，不行的话，可以考虑更换栅极驱动器
要么散热要么减少功
结合GPT给出回答如下请题主参考
从提供的信息来看，可以初步判断输出上管的栅极VDS波形存在问题，可能导致输出上管发烫严重。建议采取如下措施：
- 分析输出上管的栅极VDS波形
在空载和输出20V 4A时，分析输出上管的栅极VDS波形，看看是否存在过大的脉动或者滞后等问题，如果存在问题，需要根据具体情况进行调整。
- 调整升降压芯片参数
根据芯片规格，可以看出其输入输出参数范围较广，可以尝试调整芯片参数，例如增加输出电容等，改善输出上管的热问题。
- 选择适当的散热器
如果以上措施无法改善输出上管的发烫问题，可以选择适当的散热器来降低输出上管的温度，保证芯片正常工作。
综上所述，需要分析输出上管的栅极VDS波形，调整升降压芯片参数，选择适当的散热器来解决输出上管发烫的问题。
分析MOS管发热严重的具体因素
1、发热情况，有电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3、没有做好足够的散热设计，电流太高。MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大
MOS管小电流发热严重解决方法
1、做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助导热散热片。
2、贴散热胶。
氪星纪元的两款导热绝缘材料分别可以帮客户驱动电源降温6℃与10℃，尤其在耐电压及老化测试的时候，氪星纪元的导热绝缘材料0.25mm厚度可以在3500V的电压下不被击穿，而在老化测试中，高温160摄氏度测试1个月的时间中，氪星纪元导热绝缘材料的性能一直保持很好的稳定性。
引自gpt：
DC-DC升降压输出NMOS管发烫严重的原因如下：
功率管的选择不够合理，内阻越小，cgs和cgd电容越大，应选择够用的功率管。
工作频率的选择，频率与导通损耗成正比，频率选择较高时，导通损耗增加，从而导致功率管发热，可以降低频率。
DC-DC升降压输出NMOS管发热严重可能有以下几个原因：
工作电流过大：如果DC-DC升降压输出的负载电流较大，NMOS管需要承受较高的电流负载，这会导致NMOS管发热严重，同时可能会影响其寿命。
输出电压过高：如果DC-DC升降压输出电压过高，NMOS管需要承受较高的电压负载，这也会导致NMOS管发热严重，同时可能会影响其寿命。
散热不良：NMOS管的发热问题可能还与散热不良有关。如果散热不良，NMOS管的工作温度会升高，从而导致其发热严重。可以考虑增加散热片或风扇等散热装置来解决这个问题。
NMOS管选型不合适：如果选择的NMOS管功率不足或阻值过大，也会导致发热严重。因此，在设计DC-DC升降压电路时，需根据实际需要选择合适的NMOS管，以保证其正常工作并降低发热风险。
DC-DC升降压电路中的NMOS管发热严重可能由多种原因导致。以下是一些可能的原因和相应的解决方法：
电流过载。当流过NMOS管的电流超过其额定值时，管子会过载并发热。解决方法是降低负载，或更换具有更大额定电流的NMOS管。
输入电压过高。如果输入电压高于NMOS管的阈值电压，可能导致管子发热。解决方法是增加输入电压的稳定性，或更换具有更高阈值的NMOS管。
管子导通电阻过大。如果NMOS管的导通电阻过大，电流流过管子时将产生过多的热量。解决方法是选用导通电阻更小的NMOS管，或者优化电路设计，减小导通电阻。
管子散热不良。如果NMOS管在工作过程中产生的热量不能有效散发，会导致管子温度过高。解决方法是改进散热设计，例如增加散热片或使用更好的散热材料。
电路设计不合理。如果电路设计存在缺陷，例如布线不当或元件布局不合理，可能导致管子发热。解决方法是优化电路设计，改善布线和元件布局。