为什么MOS管反型层靠近漏极变窄?

以增强型Nmos管为例,Vdg=Vds-Vgs。 所以Vgd=Vgs-Vds, 我们知道Vgs,Vgd都是正电压吧,且Vds大于Vgs。那么Vgs-Vds是一个负数电压,当Vds变大了,那么Vgs-Vds就更小了,但Vgd绝对值更大了,所以压差更大了。Vgs电势差变得更大的话,那么栅极和漏极的反型层不应该变得更宽吗?为什么变得更窄了?不懂呀,求解答!

该回答引用gpt
当Vds增大时,Nmos管通道中的电场也增强,导致电子在通道中被加速。这使得电子更快地进入漏极区域,减小了漏极区域的电子浓度。当电子浓度减小时,反型层就会变窄,这进一步减小了Vgs和Vds之间的电势差。因此,即使Vgs不变,在增大Vds时,漏极区域的电子浓度减小导致了反型层的变窄,减小了Vgs和Vds之间的电势差,从而使Vgd变大。