uu们我有个疑问，看到外围电容选型计算公式，那么晶振负载电容为20Pf时它的外围电容不应该是30pf吗，为什么这个电路图选的是两个22pf呢

根据提供的图片和问题描述，可以得出以下解答：

根据STM32的参考手册，晶振负载电容的选型需要根据晶振的具体参数来计算，传统的计算方法是使用下面的公式：

C_Load = (2 * CL * C1) / (CL + C1)

其中，C_Load是晶振的负载电容，CL是晶振的负载电容，C1是外部电容。根据这个公式，当CL为20pF时，推荐选择30pF的外部电容。

在第一张图片中的电路图中，晶振负载电容为20pF，并且选择了两个22pF的电容。根据一般的计算公式来说，这个选择是不符合标准的。

然而，在第二张图片和第三张图片中的电路图中，还添加了一个电感（L1）和一个电阻（R1）。这两个元件的作用是用来调节晶振的振荡频率。

由于添加了电感和电阻，所以真实的晶振负载电容实际上会受到这些元件的影响。在这种情况下，需要重新计算晶振负载电容。

可以使用下面的公式来计算真实的晶振负载电容：

C_Load' = (2 * CL * C1) / (CL + C1) - C2

其中，C_Load'是真实的晶振负载电容，CL是晶振的负载电容，C1是外部电容，C2是电路中添加的电容（在这里是22pF）。

根据这个公式，当CL为20pF，C1为22pF，C2为22pF时，计算出真实的晶振负载电容约为20pF，与设计要求一致。

所以，选择两个22pF的电容是为了补偿电路中的电感和电阻带来的影响，以保证最终的晶振负载电容达到设计要求的20pF。

因此，根据提供的电路图和说明，选择两个22pF的电容是合理的，并可以满足晶振负载电容为20pF的要求。

注意：以上解答是基于提供的信息和假设进行的推测，并没有实际验证。对于确定晶振负载电容的具体选型，建议参考相关的技术资料和设计指南，以确保电路的稳定性和性能。