利用多片 128Kx1 位的 SRAM 芯片设计存储容量为 128Kx8 位的SRAM 存储器。要求：画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

利用多片 128Kx1 位的 SRAM 芯片设计存储容量为 128Kx8 位的SRAM 存储器。要求：画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。
用多思实验室软件来画图

这个问题不是回答过好多次了吗，用8片，除了数据线，其它所有线并在一起就可以了，连译码器都不需要。8条数据线就是合并成的RAM的8位数据线，

利用多片 128Kx1 位的 SRAM 芯片设计存储容量为 128Kx8 位的SRAM 存储器
下面这是是从控制线、地址线、数据线三个方面描述这个存储器的工作原理：
1.控制线这个存储器需要使用一些控制线来控制读写操作。其中，常用的控制线包括：OE(OutputEnable)：输出使能。当OE为低电平时，存储器的输出才能有效，否则输出为高阻态。WE(WriteEnable)：写使能。当WE为低电平时，可以进行写操作；当WE为高电平时，不能进行写操作。CS(ChipSelect)：片选。当CS为低电平时，表示对这个存储器进行操作；当CS为高电平时，表示不对这个存储器进行操作。
2.地址线由于这个存储器总共有512Kx8位的存储空间，因此需要使用19根地址线来对存储位置进行编码。其中，地址线A0A18用来选择存储器中的某一位，它们的电平状态组合可以表示0512K-1的地址范围。
3.数据线这个存储器一共有8位数据线，可以同时读写8位的数据。在进行读操作时，存储器将选定地址处的8位数据输出到数据线上；在进行写操作时，将8位数据写入到选定地址处。因此，当进行存储器的读写操作时，首先需要确定所要操作的存储位置，然后再通过控制线进行相应的操作。例如，进行读操作时，需要将所要读取的地址通过地址线输入到存储器中，然后将OE线拉低，使得存储器的输出有效。此时，存储器将选定地址处的8位数据输出到数据线上。进行写操作时，同样需要将所要写入的地址通过地址线输入到存储器中，然后将8位数据通过数据线写入到选定地址处，并将WE线拉低，使得存储器进行写操作。

大致的思路:将128个128x1位的SRAM芯片并行连接到存储器地址总线和数据总线上。地址总线有128个地址线，可以访问2^128个存储单元。每个存储单元可以存储8位数据。

可以将多个 128Kx1 位的 SRAM芯片并联接在一起，以实现 128Kx8 位的SRAM存储器容量。

参考这个图，位扩展连接这些内存即可。