用多思虚拟实验室画图。并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。
答案参考ChatGPT Plus版,整理汇总。希望能帮助你解决问题
为了设计一个1MX8位的SRAM存储器,可以利用多片256Kx8位的SRAM芯片来实现。以下是一个基本的电路原理图,描述了如何使用四片256Kx8位的SRAM芯片来构建1MX8位的存储器。
+---------------------+
| Address |
| Decoder |
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+-------+----+--------+
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+------+------+------+
| |
| |
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+-----+-+ +--+-+
|256Kx8| |256Kx8|
| SRAM | | SRAM|
+-----+-+ +--+-+
| |
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+-----+-+ +--+-+
|256Kx8| |256Kx8|
| SRAM | | SRAM|
+-----+-+ +--+-+
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+-----+-+ +--+-+
|256Kx8| |256Kx8|
| SRAM | | SRAM|
+-----+-+ +--+-+
| |
| |
+------+------ ------+
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+------v------+
| Data Bus |
+-------------+
控制线:
地址线:
数据线:
工作原理:
通过这种方式,使用多片256Kx8位的SRAM芯片,可以构建出1MX8位的SRAM存储器。
以下是利用四片256Kx8位的SRAM芯片设计存储容量为1MX8位的SRAM存储器的电路原理图示例:
SRAM存储器电路原理图
其中,A0A17 为地址线,D0D7 为数据线,WE 和 OE 分别为写使能和输出使能控制线。
该SRAM存储器的工作原理如下:
写入数据:当写使能信号为有效低电平时,将数据写入对应的地址中。此时,输入数据通过数据线D0D7传入数据选择器MUX,MUX 的S端接受地址线A18,根据A18的状态选择不同的输入端口将数据传递给指定的SRAM芯片进行写入操作。D7。选择器MUX的S端接受地址线A18,根据A18的状态选择不同的输出端口将指定SRAM芯片上的数据输出到数据线D0~D7。
输出数据:当输出使能信号为有效低电平时,读取对应地址上的数据并经过输出选择器MUX输出到数据线D0
通过地址线和数据线可以实现读写操作,通过WE和OE可以控制写和输出的使能,因此就构成了一个基本的SRAM存储器。通过多片SRAM芯片的组合,可以扩展存储容量,如上述示例中,通过四片256Kx8位的SRAM芯片,实现了存储容量为1MX8位的SRAM存储器。
回答部分参考、引用ChatGpt以便为您提供更准确的答案:
多思虚拟实验室是一个用于绘制逻辑电路图的工具,可以用来描述数字电路的工作原理。下面从控制线、地址线和数据线三个方面来描述其工作原理:
通过合理地组织控制线、地址线和数据线的连接,可以构建出不同的数字电路,实现各种功能,如加法器、计数器、存储器等。多思虚拟实验室提供了一个图形化界面,方便用户通过拖拽和连接不同的元件来绘制电路图,并可以进行模拟和调试。
所有SRAM的地址线,数据线,读写控制信号线并联,只有片选信号独立,每片SRAM的地址的bit0-bit17作为新SRAM的bit0-bit17,新SRAM的bit18 bit19通过一个2-4译码器后,分别接到4片SRAM。
新的SRAM和小容量的SRAM位宽一样,容量4倍,所以需要4片,4片SRAM共用控制信号,因为位宽一样,所以数据线直接共用。而地址线的bit18 bit19,用于选择不同的存储芯片