cad 编写网表完成以下问题

MOS管的共源放大电路如下图所示，VDD=3V，电阻RD=30kΩ，负载电容Cl=1pF，nmos管使用tsmc018r工艺库里的nch1模型L=1u，W=2u，请使用Hspice编写该电路的网表，并作如下分析：

1、构建MOS管的共源放大电路的HSPICE网表
2、使用DC分析得到电路的静态工作点，从而可以对输入端加上不同的直流电压，在输出端测量负载电容两端的电压，得到转移特性曲线。
3、对于正弦输入信号，可以使用SIN源产生信号源，进行瞬态分析获取输出波形，并计算增益。
4、对于交流分析，可以使用AC源扫描频率，记录输出电压幅值并以dB为单位绘制Bode图，根据图形找到-3dB带宽。

HSPICE代码：

*MOSFET model
.model nch1 nmos(level=1 lp=1u wp=2u)

*Netlist
VDD VDD 0 DC 3
M1 OUT IN 0 0 nch1 L=1u W=2u
R1 OUT 0 30k
C1 OUT 0 1p

VIN IN 0 DC 0V

*Transfe characteristic
*.DC VIN -0.1 3.1 0.01
*.PRINT DC V(OUT) V(IN)
*.END

*Transient analysis
*.TRAN 1n 1u
*.SIN VIN IN 0.8V 1uV 1k
*.PRINT TRAN V(OUT) 
*.END

*AC Analysis 
.AC DEC 10 1 1Meg
*.AC DEC 1000 1 1Meg
*.AC SIN VIN 0V 1V 1kHz
*.PRINT AC V(OUT), VP(OUT) 
*.END

cadence生成网表
https://jingyan.baidu.com/article/d8072ac47b4b0eec95cefdae.html

网表我没有去画，我给你一个大概的思路吧，仅供参考：根据你的描述，应该需要由一个NMOS管和一个负载电容Cl组成的电路。其中NMOS管的源极与栅极和地相连，漏极连接到VDD。负载电容Cl的一端与NMOS管的漏极相连，另一端与地相连。电阻RD连接到栅极和地之间。另外，根据提供的参数，可以计算出NMOS管的阈值电压Vth约为0.5V。

电路的Hspice网表参考

* Netlist for common source amplifier
M1 OUT IN GND GND NCH1 L=1u W=2u
RD OUT VDD 30k
CGS GND IN 1pF
VDD VDD GND DC 3V
VIN IN GND AC 1V
.options PROBE NOMOD NOINIT
.tran 0 10u
.end

引用chatgpt:
首先，我们需要将电路图转换为Hspice中的电路模型。根据电路图，我们可以得到以下电路模型：

!MOSFET共源放大电路

其中，VDD表示电源电压，RD表示电阻，Cl表示负载电容，L表示nmos管的漏极电流，W表示nmos管的栅极电压。

接下来，我们可以使用Hspice进行仿真分析。首先，我们需要设置仿真参数，包括仿真时间、仿真步长等。然后，我们可以使用Hspice的“.TRAN”命令来运行仿真，并使用“.LIST”命令查看仿真结果。

在仿真过程中，我们可以观察到输出信号随着输入信号的变化而变化。具体来说，当输入信号较小时，输出信号也较小；当输入信号较大时，输出信号也相应地增大。这是因为MOSFET共源放大电路具有放大作用，可以将输入信号放大后输出。

此外，我们还可以使用Hspice的“.DISPLAY”命令来显示仿真结果的波形图。通过观察波形图，我们可以更加直观地了解电路的工作状态和性能表现。

综上所述，使用Hspice编写MOSFET共源放大电路的网表可以帮助我们深入了解电路的工作机理和性能特点，从而更好地设计和优化电路。

有用就用哈，不能用就当打扰了