高压mos管的最外一圈是要连GND吗？中间一圈连VDD？这个是硬性规定吗？必须这么连吗？
高压MOS管的布局并没有硬性规定必须采用特定的连接方式。不同的设计者和工艺都有自己的经验。但是大体上有以下几点建议:
- 最外圈一般连接到源极或漏极(S/D),这是为了提高器件的抗电击击穿能力。如果连接到栅极(G),很容易因栅极过度充电而损坏栅 oxide。
- 中间层一般连接到S/D或G都可以。如果连接到S/D可以减小Rds,连接到G可以提高Gm。这需要根据具体电路需求来权衡。
- 靠近衬底的金属层一般连接到S/D,这有利于热量散出,否则容易过热损坏器件。
- 高压MOS管的布局还需要考虑场板效应,一般采用交错的多指结构可以有效减小场板效应。
- 同一条指内S/D要尽量靠近,G要远离S/D。这可以减小寄生电容,提高器件频响。
综上,高压MOS管的布局并非必须采用固定模式,需要根据工艺、电路需求以及器件特性综合权衡设计。最外圈连接S/D是一个较为普遍的选择,但并非绝对必需。希望这个解释能帮助您理解高压MOS管的布局设计。