需要使用PSIM搭建IGBT/Mosfet的double pulse的仿真模型，需要观测常规实验当中的VCE、Ic、Vgs、Irr等波形
使用PSIM搭建IGBT/Mosfet的double pulse的仿真模型需要以下步骤：
打开PSIM仿真软件，从左侧工具栏选择电路元件并添加IGBT/Mosfet元件到电路中。
根据您的实际需求，使用其他电路元件按照电路拓扑搭建出双脉冲测试电路。
配置IGBT/Mosfet元件的参数，例如峰值电压、额定电流、开关时间等等。
添加测量元件，例如电压表和电流表，并将它们与IGBT/Mosfet元件相连。
连接触发脉冲信号，可以选择手动输入脉冲信号或者使用函数发生器等外部设备发送脉冲信号。
运行仿真并观察输出波形。可以使用仿真结果分析工具进一步处理波形数据，计算相关参数。
在观测常规实验当中的VCE、Ic、Vgs、Irr等波形时，您需要在电路中添加相应的测量元件，并将它们与IGBT/Mosfet元件相连。例如，如果要观测IGBT的VCE和Ic波形，可以按照以下步骤进行：
从左侧工具栏选择电压表和电流表，并添加到电路中。
将电压表的正极连接到IGBT/Mosfet的集电极，负极连接到GND。
将电流表的正极连接到IGBT/Mosfet的集电极，负极连接到电路中的负载电阻或其他负载。
运行仿真并观察输出波形。
同样地，如果要观测IGBT/Mosfet的Vgs、Irr等波形，也可以按照类似的方法进行搭建和连接。需要注意的是，在添加元件和配置参数时，需要根据实际情况进行调整和优化，以确保仿真模型的准确性和可靠性。