MOS测试针引脚氧化是为什么

MOS管在测试时会有测试针随着时间的变长出现沾锡的情况，是因为测试条件的电压引起还是电流引起？

• 你可以看下这个问题的回答https://ask.csdn.net/questions/7542989
• 这篇博客你也可以参考下：一文详解MOS管耐压特性及栅极电荷影响，你了解吗？
• 除此之外, 这篇博客: 共栅级MOS管放大器小信号增益及与共源级的对比中的 考虑输入电阻的共栅级 部分也许能够解决你的问题, 你可以仔细阅读以下内容或跳转源博客中阅读:
  

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  在结构上，我们看到该小信号电路与共源级非常相似，仅仅是输入从栅源端改到了衬源端，电路本身的属性（空载和带载输出电阻）并没有发生变化，空载输出电阻为[ro+Rs+(gm+gmb)∗Rs∗ror_o+R_s+(g_m+g_{mb})*R_s*r_oro​+Rs​+(gm​+gmb​)∗Rs​∗ro​]所以我们从公式直接得出结论。

  Av=(gmb∗ro+gm∗ro+1)ro+Rs+(gm+gmb)∗Rs∗ro∗(ro+Rs+(gm+gmb)∗Rs∗ro)//RDA_v=\frac{(g_{mb}*r_o+g_m*r_o+1)}{r_o+R_s+(g_m+g_{mb})*R_s*r_o}*(r_o+R_s+(g_m+g_{mb})*R_s*r_o)//R_DAv​=ro​+Rs​+(gm​+gmb​)∗Rs​∗ro​(gmb​∗ro​+gm​∗ro​+1)​∗(ro​+Rs​+(gm​+gmb​)∗Rs​∗ro​)//RD​
  =(gmb∗ro+gm∗ro+1)∗RDro+Rs+(gm+gmb)∗Rs∗ro+RD=\frac{(g_{mb}*r_o+g_m*r_o+1)*R_D}{r_o+R_s+(g_m+g_{mb})*R_s*r_o+R_D}=ro​+Rs​+(gm​+gmb​)∗Rs​∗ro​+RD​(gmb​∗ro​+gm​∗ro​+1)∗RD​​

  
  在将两种放大器进行比较之后，我们得到一些结论：两者在放大方式上类似，都是通过电压控制输出漏电流来驱动负载实现放大，但两者的放大能力又不相同，共栅级的漏电流来源于多处，故比共源级放大能力更强。而共源级放大方式单纯，对于电路的改变较小，便于分析，同时也避免了体效应。