模拟电路中输出阻抗是1/gm的电路（最好是运用了mosfet的电路）
在MOSFET电路中，输出阻抗与MOSFET的转移导纳有关，可以通过改变MOSFET的偏置电压或者改变源极负载电路等方式来改变输出阻抗。
具体来说，在MOSFET的放大电路中，输出电压是由输入电压乘以MOSFET的增益得到的，其增益为MOSFET的跨导（transconductance）gm。因此，输出电流可以表示为Iout = gm × Vin。由此可以得到输出电阻为1/gm。
如果要改变输出阻抗，可以通过改变MOSFET的偏置电压来改变gm的大小。例如，增加MOSFET的偏置电压会增加其跨导，从而减小输出阻抗。
此外，还可以在MOSFET的源极和负载电路之间加入一个阻抗，以改变输出阻抗。例如，可以在源极和负载电路之间加入一个电阻，其阻值为1/gm。这样可以使得输出电压和输出电流之间的比值保持不变，从而保持输出阻抗为1/gm。
需要注意的是，在实际电路设计中，还需要考虑许多其他因素，如电路稳定性、噪声等，因此具体实现方法可能会因具体情况而异。