51单片机AD测电压存储到片外RAM

  1. 基本要求
    基于典型51单片机与ADC0809硬件连接方式，采用ADC0809对IN5通道的模拟电压进行转换，电压值通过四位数码管进行显示。例如：1.234伏。其中，模拟电压可由滑动变阻器提供。
  2. 冲击要求：
    在基础要求前提下，通过按键选择ADC0809的某一个通过进行模拟电压转换，电压值通过四位数码管进行显示。同时，将模拟电压转换数值存储在外部RAM中。
    （主要想请大家帮我看一下程序和电路图该怎么改）

img


#include<reg52.h>
#include<absacc.h>
unsigned char code dispbitcode[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f};
unsigned char dispbuf[4];
unsigned int i;
unsigned int j;
unsigned char getdata;
unsigned int temp;
unsigned char count;
unsigned char d;

sbit ST=P3^6;
sbit OE=P3^7;
sbit EOC=P3^2;
sbit CLK=P3^3;
sbit P30=P3^0;
sbit P35=P3^5;
sbit P31=P3^1;
sbit P34=P3^4;
sbit P17=P1^7;
void Delay(unsigned int i);
void Delay(unsigned int i)
{
unsigned int j;
for(;i>0;i--)
{
for(j=0;j<125;j++)
{;}
}
}
void Display()
{
P1=dispbitcode[dispbuf[3]];
P17=1;
P30=0;
P31=1;
P34=1;
P35=1;
Delay(10);
P1=0x00;
P1=dispbitcode[dispbuf[2]];
P30=1;
P31=0;
P34=1;
P35=1;
Delay(10);
P1=0x00;
P1=dispbitcode[dispbuf[1]];
P30=1;
P31=1;
P34=0;
P35=1;
Delay(10);
P1=0x00;
P1=dispbitcode[dispbuf[0]];
P30=1;
P31=1;
P34=1;
P35=0;
Delay(10);
P1=0x00;
}
void main()
{ TMOD=0x10;
TH1=(65536-200)/256;
TL1=(65536-200)%256;
EA=1;
ET1=1;
EX0=1;
IT0=1;
TR1=1;
while(1)
{
ST=0;
OE=0;
ST=1;
ST=0;
while(EOC==1);
OE=1;
getdata=P0;
OE=0;
temp=getdata1.0/2555*1000;
XBYTE[0X0000]=getdata;

            dispbuf[0]=temp%10;
            dispbuf[1]=temp/10%10;
            dispbuf[2]=temp/100%10;
            dispbuf[3]=temp/1000;
            Display();
    }

}
void t1(void) interrupt 3 using 0
{
TH1=(65536-200)/256;
TL1=(65536-200)%256;
CLK=~CLK;
}

你确定是RAM不是ROM？RAM掉电数据会丢失的。51的内部RAM和外部RAM使用起来基本没差别。

现在程序的问题是什么呢？
另外，建议buf定义的时候加个volatile，或者更直观的做法是， 使用XBYTE[addr] = xxx的写法，XBYTE在absacc.h里有定义。如果不加volatile，直接的指针赋值操作很可能被优化掉。

一定要用C语言吗？可以使用汇编语言吗？