温度300K，N区掺杂浓度Nd=10^18cm^-3，P区掺杂Na=10^15cm^-3，N区长度0.2105μm，P区长度为1.703μm。
要求：1.说明数值求解的具体过程，给出源程序。
2.给出器件偏压为0V、0.2V、0.4V、0.6V时内部的载流子浓度分布、电场强度分布和电流密度分布图。
3.给出从0V到0.7V的器件I-V特性。
注：用耦合法，对一维稳态特性模拟
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