matlab绘图，求反余弦的第一个峰值平台处的宽度

clear
XXX=[];YYY=[];
XXX2=[];
epsilon_a = 5.5225;%材料a的介电常数
a = 740e-9;%材料a的厚度
epsilon_b = 1.9044;%材料b的介电常数
b = 1260e-9;%材料b的厚度
na = sqrt(epsilon_a);
nb = sqrt(epsilon_b);
c = 3e8;%光速%介电常数
omega_0 = (c*pi)/(na*a+nb*b);
epsilon_0 = 8.854187817e-12;%介电常数
mu_0 = 4*pi*1e-7;%真空磁导率
eta_a = sqrt(epsilon_0*epsilon_a/mu_0);
eta_b = sqrt(epsilon_0*epsilon_b/mu_0);
eta_0 = sqrt(epsilon_0/mu_0);
N = 10; %周期数10个
for n=0:0.001:5
omega = n*omega_0;
delta_a = -(omega*a*sqrt(epsilon_a))/c;
delta_b = -(omega*b*sqrt(epsilon_b))/c;
Ma = [cos(delta_a),-1i.*sin(delta_a)/eta_a;-1i.*eta_a.*sin(delta_a),cos(delta_a)];
Mb = [cos(delta_b),-1i.*sin(delta_b)/eta_b;-1i.*eta_b.*sin(delta_b),cos(delta_b)];
M = (Ma*Mb)^N*Ma;
M11 = M(1,1);M12 = M(1,2);M21 = M(2,1);M22 = M(2,2);
t = (2*eta_0)./(M11*eta_0+M12*eta_0*eta_0+M21+M22*eta_0);%t为透过率
T = (abs(t))^2;
kd = acos(cos(delta_a)*cos(delta_b)-0.5*((eta_a/eta_b)+(eta_b/eta_a))*sin(delta_a)*sin(delta_b));
XXX2 = [XXX2,T];
XXX = [XXX,kd];
YYY = [YYY,n];
end
subplot(2,2,1);
plot(XXX,YYY,"-K");
hold on;
axis([0 pi 0 5]);
grid off;
title('na=nb 时的色散关系');
xlabel('kd');
ylabel('w/w0');
subplot(2,2,2);
plot(XXX2,YYY,"-K");
hold on;
axis([0 1 0 5]);
grid off;
title('na=nb 时透射率-频率依赖关系');
xlabel('T');
ylabel('w/w0');

红色箭头指的就是反余弦的第一个峰值平台，现在变化材料a的厚度，导致填充率因子f=a/(a+b)的变化，从而再次用matlab绘出一下2个图：

我不知道该怎么从上面的代码，再次编写matlab程序画出2个图。

第一带隙宽度有计算公式吧