用晶体管设计LNA电路，基极的上下偏置电阻阻值应该用多大？
问题：
用晶体管设计LNA放大电路，电路的拓扑结构如图所示，共射放大电路，那么这个
基极的上下偏置电阻的阻值应该选择多大？是选择K欧姆级别还是选择欧姆级别？
分别有什么影响？
就如图中的R1/R2电阻，我们通常经验这两个电阻会选择K欧姆级别的，但实际上欧姆级别的电阻也能实现分压偏置的功能，也能给基极一个合适的电流使晶体管工作在放大区；
那选用欧姆级别和K欧姆级别还有什么其他的区别么？理论依据是啥？
谢谢！
问题：
用晶体管设计LNA放大电路，电路的拓扑结构如图所示，共射放大电路，那么这个
基极的上下偏置电阻的阻值应该选择多大？是选择K欧姆级别还是选择欧姆级别？
分别有什么影响？
就如图中的R1/R2电阻，我们通常经验这两个电阻会选择K欧姆级别的，但实际上欧姆级别的电阻也能实现分压偏置的功能，也能给基极一个合适的电流使晶体管工作在放大区；
那选用欧姆级别和K欧姆级别还有什么其他的区别么？理论依据是啥？
谢谢！