这是一个关于计算机组成原理的相关问题

如图，请问送行列地址，为啥SRAM为一次，DRAM为两次？
为啥SRAM需要破坏性读出，DRAM不需要？
还有发热情况，大小咋出来的？

这些都是元器件的物理特性决定的。分两次主要是为了节约地址线

   SRAM使用由多个MOS管组成的触发器存储信息，6个MOS管共同组成一个基本单元，即6个MOS管存储1位二进制信息。由于它使用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出后，仍然保持其原状态（即二进制信息不变），不需要再生。其基本单元包含的元件很多（6个）所以每个单位面积发热较大，集成度低，存储成本高。
    DRAM使用电容存储电荷的原理存储信息，由于电容电荷的易失性，一般必须在2ms内对其所有存储单元进行一次刷新（对里面的电荷进行恢复）， DRAM的存储单元由1个晶体管和一个电容组成，基本单元中元件较少，所以其集成度较高，发热量小，存储成本低。
   至于为何送地址时SRAM为1次，而DRAM为两次，当然是由于其地址线条数不同，SRAM由于其速度快价格高集成度低不需要刷新等特点，主要用于高速Cache，对速度的要求使其设计牺牲集成度（更多的地址线需要更多的引脚会使其体积变大）来获得更快的存取速度，而DRAM由于其位价低等特点主要用于内存，对速度的要求低于对集成度的要求，所以使用较少的地址线分两次传输地址。
 关于是否破坏性读出这一点，也是由于电容的易失性导致的。